台积电2nm工艺步入正轨 预计到2025年实现大规模生产

2024-12-19 03:59:24 admin

前段时间,台积台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示,工轨预规模客户对于2nm的艺步询问多于3nm,看起来更受客户的入正欢迎。为了应对市场对2nm工艺技术的年实强劲需求,台积电持续对该制程节点进行投资,生产加快了2nm产线的台积建设,并进一步扩大了产能规划。工轨预规模

台积电2nm工艺步入正轨 预计到2025年实现大规模生产

台积电在近日对官网上的艺步逻辑制程内容进行了更新,称台积电2nm(N2)技术开发依照计划进行并且有良好的入正进展。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术,年实在性能和功耗方面实现了全面的生产飞跃,预计于2025年开始量产。台积主要客户已完成2nm IP设计,工轨预规模并开始进行验证。艺步此外,台积电还开发了RDL(低阻值重置导线层)、超高效能金属层间(MiM)电容,以进一步提高性能。

台积电N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术,并采用领先的纳米片晶体管结构,其效能及功耗效率皆达到一个新层次,以满足高效能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因他们持续强化的市场策略,进一步扩大在该领域的技术领先优势。

据了解,台积电在2nm制程节点还将引入GAA晶体管架构,有望显著降低功耗,提高性能和晶体管密度,带来质的改变。台积电将在今年12月的IEDM会议上发表的一篇论文,提到了2nm制程节点将HD SRAM位单元尺寸缩小到约0.0175μm²。这对于非常依赖于SRAM密度的现代CPU、GPU和SoC设计,带来更大容量的缓存来有效地提升处理大批量数据的能力。

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